Paske molybdène gen karakteristik segondè pwen k ap fonn, segondè konduktiviti elektrik, ba enpedans espesifik, bon rezistans korozyon, ak pwoteksyon anviwònman an,sib molybdèneyo lajman itilize nan endistri elektwonik la, tankou elektwòd pou ekspozisyon panèl plat, selil solè mens fim, ak Pwodwi pou Telefòn. Liy enfòmasyon, kounye a kite Xiaobian epi ou konnen sou karakteristik sa yo nan sib molybdène nan pwodwi tengstèn ak molybdène.
1. High-pite molybdène sib
Anjeneral, pite sib sputtering molybdène a ta dwe omwen 99.95 pousan. Sepandan, ak amelyorasyon kontinyèl nan gwosè a nan substrats vè nan endistri a LCD, ak dapre gwosè a nan substrats yo vè sputtered ak anviwònman aplikasyon an, pite a nan molybdène sputtering objektif yo oblije 99.99 pousan -99. 999 pousan oswa menm pi wo.
2. High-dansite molybdène sib
Nan pwosesis la nan kouch sputtering, lè sib la sputtering ak dansite ki ba yo bonbade, akòz liberasyon an toudenkou nan gaz ki deja egziste nan porositë yo nan materyèl la sib, gwo-echèl patikil sib oswa patikil yo fòme nan Splash, oswa materyèl la fim se sibi domaj segondè apre fòmasyon fim. Bonbadman elèktron segondè fòme yon Splash nan patikil, prezans nan ki ka degrade bon jan kalite a fim. Yo nan lòd yo diminye porositë yo nan solid nan materyèl la sib ak amelyore pèfòmans nan fim nan, se materyèl la sib sputtering jeneralman oblije gen yon dansite ki pi wo.
3. Gwosè grenn
Anjeneral, sib sputtering molybdène a gen yon estrikti polikristalin, ak gwosè grenn lan ka varye ant mikromèt ak milimèt. Etid eksperimantal yo te montre ke pousantaj sputtering nan sib la mikwo-echèl grenn molybdène se pi vit pase sa yo ki nan grenn nan koryas, ak sib la ki gen yon diferans ki pi piti nan gwosè grenn molybdène gen yon distribisyon epesè ki pi inifòm nan fim nan depoze.
4. Direksyon kristalizasyon
Depi atòm yo nan sib la yo tou senpleman sputtered nan yon direksyon ki nan yon aranjman egzagonal strik nan atòm pandan sputtering, yo nan lòd yo reyalize pousantaj la sputtering, se pousantaj la sputtering souvan ogmante pa chanje estrikti nan kristal nan sib la. Direksyon kristalografik sib la tou gen yon gwo enfliyans sou inifòmite epesè fim nan sputtered. Se poutèt sa, jwenn yon estrikti sib ak yon sèten oryantasyon kristalografik enpòtan nan pwosesis la sputtering nan fim mens.
5. tèmik conductivité
Manifaktirè pwodwi tengstèn ak molybdène yo di ou ke sib la molybdène sputtering dwe konekte ak chasi an kwiv-gratis oksijèn (oswa lòt materyèl tankou aliminyòm) anvan sputtering pou konduktiviti nan tèmik ant sib la molybdène ak chasi a ka garanti pandan pwosesis la sputtering. Apre obligatwa, li nesesè yo pase enspeksyon ultrasons asire ke zòn nan unbonded nan de a se mwens pase 2 pousan, konsa tankou satisfè kondisyon ki nan gwo pouvwa sputtering san yo pa tonbe.
6. Molybdène sib pèfòmans
Pite: molybdène pi gran pase oswa egal a 99.95 pousan, segondè tanperati molybdène pi gran pase oswa egal a 99 pousan (ajoute eleman latè ra)
Dansite: Pi gran pase oswa egal a 10.2g/cm3
Pwen k ap fonn: 2610 degre
Espesifikasyon: sib wonn, sib plak, sib wotasyon
Anviwònman apwopriye pou sib molybdène ki te pwodwi pa Baoji Yusheng Metal Technology Co, Ltd se yon anviwònman vakyòm oswa anviwònman pwoteksyon gaz inaktif. Kontni molybdène pi bon kalite nan pwodwi molybdène nou bay yo wo, rezistans wo-tanperati a se 1200 degre, ak rezistans segondè-tanperati alyaj molybdène a se 1700 degre. Objektif molybdène ki te pwodwi pa konpayi nou an se nan bon jan kalite segondè, pri rezonab, ak livrezon rapid.
